三星電子官網是韓國最大的電子工業(yè)企業(yè)，同時也是三星集團旗下最大的子公司。1938年3月它于韓國大邱成立，創(chuàng)始人是李秉喆。現(xiàn)任會長是李健熙，副會長是李在镕和權五鉉，社長是崔志成，首席執(zhí)行官是由權五鉉、申宗鈞、尹富根三位組成的聯(lián)席CEO。在世界上最有名的100個商標的列表中，三星電子是唯一的一個韓國商標，是韓國民族工業(yè)的象征。

　　三星電子于2010年接管數(shù)碼形象事業(yè)部業(yè)務，組成由圖像顯示器、IT解決方案、生活家電、無線、網絡、半導體及LCD事業(yè)部在內的共八大事業(yè)部體系。

　　三星電子另外，為提高綜合效應，企業(yè)重組配套事業(yè)機構，將DAS(Digital Air Solution)事業(yè)組與2010年初合并的三星光州電子(生活家電及空調制造)歸于生活家電事業(yè)部名下。此外，還將STB(Set-top Box，機頂盒)事業(yè)機構列入圖像顯示器事業(yè)部管轄范圍。

半導體可謂是打造三星的一等功臣，三星電子的半導體發(fā)展史是企業(yè)的冒險挑戰(zhàn)精神、董事會的決策、快速的掌握技術能力以及把握市場動向的敏銳洞察力融匯于一體的結果。
三星集團創(chuàng)始人李秉哲不顧公司眾人反對，毅然決然地于1983年在日本東京正式開始進軍半導體行業(yè)。對此他曾經表示，三星符合韓國缺乏資源的自然條件，只有開發(fā)高附加值、技術含量高的產品才能實現(xiàn)企業(yè)的第二次飛躍。
在此后的10個月內，三星電子在世界上第三個推出64K DRAM，這在國內外經濟界引起強烈反響。然而，日后由于半導體價格暴跌，企業(yè)在事業(yè)之初陷入困境。盡管如此，三星的存儲器半導體依然取得了長足的發(fā)展，1992年率先開發(fā)成功64M DRAM，終于在世界上確保了最強的技術實力；1993年如愿以償?shù)貥s登存儲器半導體世界第一的寶座。此后于1994年和1996年連續(xù)開發(fā)成功256M和1G DRAM，這同樣擁有‘世界最先開發(fā)’的榮耀，這樣，半導體逐漸成為韓國具有代表性的產業(yè)。2002年NAND Flash位居世界榜首；2006年與2007年分別在世界上率先研制成功50納米級DRAM和30納米級NAND等，三星電子在存儲器領域的占有率超過30%，成為業(yè)界的強者。
三星電子在2010年度依然保持著領先于世界的記錄，諸如最先進行30納米級DRAM的批量生產、從7月份開始批量生產30納米級4Gb DDR3(Double Data Rate 3) DRAM。30納米只相當于發(fā)絲1/4的厚度，30納米級DRAM與現(xiàn)有40納米級DRAM相比，可提高60%的生產效率；成本競爭力相當于50~60納米級DRAM的2倍以上；此外，耗電量與50納米級DRAM相比最多可減少65%以上。
據(jù)市場調查機構Gartner相關資料顯示，DRAM發(fā)展勢頭良好，在2010年第二季度DRAM排名中，三星電子始終保持先導地位。Gartner在報告中稱，三星電子的市場占有率超過35%，這更加鞏固了其在市場上的地位。（Samsung extends lead in DRAM rankings，美 EE Times，8/9)
三星電子2010年度半導體投資規(guī)模達11兆韓元，特別是將存儲器半導體設施投資由當初計劃的5兆5000億韓元增加至9兆韓元。從中可以看出，三星電子在2010年將繼續(xù)確保其在上述領域世界最大供給商的地位。（Can Samsung Overtake Intel?，美 WSJ，5/18)
另一方面，市場調查機構IC Insights預計，三星電子于2014年有望超越英特爾,躍升為半導體行業(yè)榜首。1999~2009年，三星電子的年均增長率（CAGR）為13.5%，而英特爾為3.4%，以此為依據(jù)，預計2014年三星電子的銷售額將超過英特爾。（Samsung to overtake Intel as No.1 chip company in 2014，美 ElectronicsWeekly，美 EE Times，8/26 & 中 Sina，8/27)
另外一個值得關注的是鑄造（foundry）領域，三星電子在該領域尚未揚名，2010年是三星電子進軍鑄造領域第五個年頭，（"We Wouldn't Launch a New Business Unless We Knew We Could Win"---Jeong-ki (Jay) Min，Samsung，日 NE Asia，8月）

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